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横向调制不同的高压电容器是纵向调制的半波电压与晶体的尺寸无关
发布时间:2019-06-15 来源:浙江佶林威斯康科技有限公司  
  

横向调制不同的高压电容器是纵向调制的半波电压与晶体的尺寸无关,只决定于晶体的光学性能。
采用纵向调制的OVT高压电容器可以对加在晶 体两端的电压实现直接测量,两极间电压与电场分布无关,所以外 电场的干扰和极间电场分布的不均匀都不会对电压测量造成影 响,传感头的设计相对比较容易。但是,由于电场方向与通光方 向平行,因此必须采用特殊的电极,如采用“半透”的金属涂层 电极、金属氧化物透明电极或环形电极。设计中应注意内部晶体绝 缘和传感头内外绝缘。 半导体和金属导体不同,金属导体由负电荷(即自由电子)导电,而半导体中负电荷(即自 由电子)和正电荷(即空穴)同时参与导电.纯净的半导体中,导电的正负电荷数相等。
在纯净的半导体中掺入微量的不同元素后,得到两种导电特性不同的半导体。在这两种 半导体中,导电的正负电荷数不相等。主要靠高压电容器电子导电的半导体称为N型半导体.这类半导 体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。主要靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 这类半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是电子。


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